東京工業大学理学院物理学系の一ノ倉聖助教、平原徹准教授らの研究グループは、近年パワーデバイスに利用される半導体であるシリコンカーバイド（SiC）結晶基板の表面上に、単一原子層のグラフェンを作製し、その上にカルシウム（Ca）を蒸着（真空中で原子を堆積すること）して加熱処理してできた試料が、冷やすと超伝導を発現することを発見しました。本研究は、アメリカ化学会誌『ACS Nano』に2月25日に掲載されました。